Suicide
06.10.2020, 16:47
Компания SK hynix сегодня, 6 октября 2020 года, представила первую в мире оперативную память следующего поколения — DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory.
https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2020/10/06/1022251/sk1.jpg
Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения — DDR4 — улучшены все ключевые характеристики.
Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти DDR4. При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность.
Реализована поддержка коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code. Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз.
https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2020/10/06/1022251/sk2.jpg
Наконец, говорится, что ёмкость модулей оперативной памяти SK hynix DDR5 DRAM может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).
Поначалу DDR5 DRAM будет проникать в серверный сегмент. SK hynix отмечает, что память нового поколения позволит существенно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров при одновременном увеличении надёжности и производительности.
06.10.2020
https://3dnews.ru/1022251/predstavl...ddr5-yomkost-moduley-moget-dostigat-256-gbayt (https://3dnews.ru/1022251/predstavlena-pervaya-v-mire-operativnaya-pamyat-ddr5-yomkost-moduley-moget-dostigat-256-gbayt)
https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2020/10/06/1022251/sk1.jpg
Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения — DDR4 — улучшены все ключевые характеристики.
Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти DDR4. При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность.
Реализована поддержка коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code. Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз.
https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2020/10/06/1022251/sk2.jpg
Наконец, говорится, что ёмкость модулей оперативной памяти SK hynix DDR5 DRAM может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).
Поначалу DDR5 DRAM будет проникать в серверный сегмент. SK hynix отмечает, что память нового поколения позволит существенно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров при одновременном увеличении надёжности и производительности.
06.10.2020
https://3dnews.ru/1022251/predstavl...ddr5-yomkost-moduley-moget-dostigat-256-gbayt (https://3dnews.ru/1022251/predstavlena-pervaya-v-mire-operativnaya-pamyat-ddr5-yomkost-moduley-moget-dostigat-256-gbayt)