SPUTNIK
16.12.2021, 06:53
Новая разработка бросает вызов традиционному дизайну
https://www.ixbt.com/img/x780/n1/news/2021/11/3/VTFET%20Newsroom_Hero%20and%20Carousel%20Template_ 1920x720_large.jpg
Закон Мура, согласно которому количество транзисторов в микросхемах примерно удваивается каждые два года, быстро приближается к тому, что считается непреодолимым препятствием.
Исторически транзисторы проектировались так, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, при этом электрический ток течёт в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие название Vertical Transport Field Effect Transistors, или VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и ток в них течёт вверх или вниз.
Процесс VTFET устраняет многие препятствия на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Он также касается контактов транзисторов, позволяя получить больший ток с меньшими потерями энергии. В целом новая конструкция нацелена на двукратное улучшение производительности или на сокращение энергопотребления на 85% по сравнению с FinFET.
IBM and Samsung Unveil Semiconductor Breakthrough That Defies Conventional Design
В пресс-релизе, посвящённом прорыву, отмечено, что глобальный дефицит полупроводниковой продукции «подчеркнул критически важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а также важность микросхем во всем: от вычислений до бытовой техники, устройств связи, транспортных систем и критически важных инфраструктур».
Разработка была выполнена специалистами комплекса Albany Nanotech Complex, который назван «ведущей в мире экосистемой для исследований в области полупроводников, создающей мощный поток инноваций, помогая удовлетворить потребности производства и ускорить рост мировой индустрии микросхем».
Источник https://www.ixbt.com/news/2021/12/1...e-v-oblasti-poluprovodnikovyh-tehnologij.html (https://www.ixbt.com/news/2021/12/15/ibm-i-samsung-objavili-o-proryve-v-oblasti-poluprovodnikovyh-tehnologij.html)
https://www.ixbt.com/img/x780/n1/news/2021/11/3/VTFET%20Newsroom_Hero%20and%20Carousel%20Template_ 1920x720_large.jpg
Закон Мура, согласно которому количество транзисторов в микросхемах примерно удваивается каждые два года, быстро приближается к тому, что считается непреодолимым препятствием.
Исторически транзисторы проектировались так, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, при этом электрический ток течёт в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие название Vertical Transport Field Effect Transistors, или VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и ток в них течёт вверх или вниз.
Процесс VTFET устраняет многие препятствия на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Он также касается контактов транзисторов, позволяя получить больший ток с меньшими потерями энергии. В целом новая конструкция нацелена на двукратное улучшение производительности или на сокращение энергопотребления на 85% по сравнению с FinFET.
IBM and Samsung Unveil Semiconductor Breakthrough That Defies Conventional Design
В пресс-релизе, посвящённом прорыву, отмечено, что глобальный дефицит полупроводниковой продукции «подчеркнул критически важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а также важность микросхем во всем: от вычислений до бытовой техники, устройств связи, транспортных систем и критически важных инфраструктур».
Разработка была выполнена специалистами комплекса Albany Nanotech Complex, который назван «ведущей в мире экосистемой для исследований в области полупроводников, создающей мощный поток инноваций, помогая удовлетворить потребности производства и ускорить рост мировой индустрии микросхем».
Источник https://www.ixbt.com/news/2021/12/1...e-v-oblasti-poluprovodnikovyh-tehnologij.html (https://www.ixbt.com/news/2021/12/15/ibm-i-samsung-objavili-o-proryve-v-oblasti-poluprovodnikovyh-tehnologij.html)