SPUTNIK
05.02.2022, 16:48
Toshibaрасширит производство силовых полупроводниковых изделий, построив фабрику, рассчитанную на300-миллиметровые пластины
Фабрика будет также выпускать слаботочные и оптоэлектронные приборы
Компания Toshiba объявила о строительстве новой фабрики по производству силовых полупроводниковых изделий с использованием 300-миллиметровых пластин. По словам Toshiba, транзисторы MOSFET, IGBT и другие силовые компоненты сейчас очень востребованы. Фабрика будет также выпускать слаботочные и оптоэлектронные приборы.
https://www.ixbt.com/img/x780/n1/news/2022/1/5/eVLWZVR2mSqUU7t1_large.jpg (https://www.ixbt.com/img/n1/news/2022/1/5/eVLWZVR2mSqUU7t1_large.jpg)
Предприятие будет расположено на основной производственной базе дискретных полупроводниковых приборов Kaga Toshiba Electronics Corporation в префектуре Исикава. Строительство планируется выполнить в два этапа, что «позволит оптимизировать темпы инвестиций в соответствии с рыночными тенденциями». Запуск первой очереди производства запланирован на 2024 финансовый год. Когда первая очередь выйдет на полную мощность, возможности Toshiba по выпуску силовых полупроводниковых приборов увеличатся в 2,5 раза по сравнению с уровнем 2021 финансового года.
Новая фабрика будет устойчива к землетрясениям, оснащена аварийными и резервными системами, включая двойные линии электроснабжения. К её особенностям отнесено новейшее энергосберегающее производственное оборудование и высокая эффективность, обеспечиваемая внедрением искусственного интеллекта и автоматизированных систем транспортировки пластин.
Источник https://www.ixbt.com/news/2022/02/0...briku-rasschitannuju-na-300millimetrovye.html (https://www.ixbt.com/news/2022/02/04/toshiba-rasshirit-proizvodstvo-silovyh-poluprovodnikovyh-izdelij-postroiv-fabriku-rasschitannuju-na-300millimetrovye.html)
Фабрика будет также выпускать слаботочные и оптоэлектронные приборы
Компания Toshiba объявила о строительстве новой фабрики по производству силовых полупроводниковых изделий с использованием 300-миллиметровых пластин. По словам Toshiba, транзисторы MOSFET, IGBT и другие силовые компоненты сейчас очень востребованы. Фабрика будет также выпускать слаботочные и оптоэлектронные приборы.
https://www.ixbt.com/img/x780/n1/news/2022/1/5/eVLWZVR2mSqUU7t1_large.jpg (https://www.ixbt.com/img/n1/news/2022/1/5/eVLWZVR2mSqUU7t1_large.jpg)
Предприятие будет расположено на основной производственной базе дискретных полупроводниковых приборов Kaga Toshiba Electronics Corporation в префектуре Исикава. Строительство планируется выполнить в два этапа, что «позволит оптимизировать темпы инвестиций в соответствии с рыночными тенденциями». Запуск первой очереди производства запланирован на 2024 финансовый год. Когда первая очередь выйдет на полную мощность, возможности Toshiba по выпуску силовых полупроводниковых приборов увеличатся в 2,5 раза по сравнению с уровнем 2021 финансового года.
Новая фабрика будет устойчива к землетрясениям, оснащена аварийными и резервными системами, включая двойные линии электроснабжения. К её особенностям отнесено новейшее энергосберегающее производственное оборудование и высокая эффективность, обеспечиваемая внедрением искусственного интеллекта и автоматизированных систем транспортировки пластин.
Источник https://www.ixbt.com/news/2022/02/0...briku-rasschitannuju-na-300millimetrovye.html (https://www.ixbt.com/news/2022/02/04/toshiba-rasshirit-proizvodstvo-silovyh-poluprovodnikovyh-izdelij-postroiv-fabriku-rasschitannuju-na-300millimetrovye.html)