ANTICHAT - Показать сообщение отдельно - Samsung начнет выпуск энергосберегающей DDR3-памяти

Samsung заявила о готовности к выпуску памяти DDR3 DRAM на основе 30-нм процесса. Новая память будет иметь на 60% больший показатель цена/эффективность, чем существующие 50-нм кристаллы, и потреблять на 30% меньше электроэнергии. На базе 30-нм 2 Гб чипов можно будет создавать высокоэффективные 4 Гб модули с энергопотреблением порядка 1,35 Вт/ч. Для сравнения, используемые в ноутбуках последних поколений 4 Гб модули памяти, собранные из 50-нм чипов, потребляет 3 Вт/ч.

Компания начала производство чипов DDR3 на базе 40-нм процесса только в прошлом году, а новые 30-нм кристаллы поступят в серийное производство во второй половине 2010 года. «Ускоренная разработка следующего поколения 30-нм DRAM позволит нам сохранить конкурентные позиции на рынке памяти», - заявил президент Memory Division компании Samsung Су-Ин Чо.

С того момента как стоимость DDR3 и DDR2 практически сравнялись, ведущие продавцы компьютерной техники стали настойчиво предлагать решения для ноутбуков и серверов на базе DDR3. По мнению ряда аналитиков, память DDR3 вероятнее всего заменит DDR2 в качестве лидера рынка DRAM уже в этом квартале ввиду большей производительности.

Дальнейшее уменьшение размера чипов крайне важно для удовлетворения пользовательского спроса на небольшие многофункциональные устройства, например, смартфоны, которые объединяют в себе компьютер, телефон, фотокамеру и аудиоплеер. Усовершенствования в технологии производства микросхем позволяют кроме уменьшения мощности и увеличения скорости достичь долгосрочного снижения стоимости производства, что является главной выгодой потребителей.

04.02.2010 21:31 Источник: ВебПланета(Ссылка на новость)