Воздействие быстрых нейтронов вызывает нарушение кристаллической решетки материала (основной эффект) и ионизацию (вторичный эффект). Вследствие этого изменяются параметры полупроводниковых материалов — время жизни неосновных носителей т, удельная проводимость (р) и скорость поверхностной рекомбинации дырок с электронами. Вследствие изменения указанных параметров под действием радиации уменьшается коэффициент усиления по току βо(αо); увеличивается обратный ток коллектора Iко ; возрастают шумы транзистора.

Изменения коэффициента усиления являются необратимыми, изменения обратного тока могут быть необратимыми и обратимыми.

Бомбардировка протонами и электронами влияет на характеристики транзисторов так же, как нейтронная радиация.