Не так давно на рынке появились наборы системной логики, функционирующие с оперативной памятью стандарта DDR3, которые были значительно производительнее существовавших до тех пор. Однако цена в несколько сотен долларов за комплект DDR3-памяти не дала возможности новинке получить массовое распространение. Из этих соображений фирма AMD не выпускает пока процессоры со встроенным контроллером нового стандарта.

Однако наступивший год должен стать переломным в области цен на DDR3-память. Об этом говорят эксперты.

Мнение экспертов основывается на нескольких фактах. Ведущие производители интегральных микросхем перешли на более прецизионную технологию изготовления микрочипов. Особенно заметен прогресс в компаниях Samsung и Elpida – они обещают еще в января начать массовой производство DDR3-памяти. Кроме того, производители перешли на медные, вместо ранее алюминиевые, проводящие элементы, а это резко повышает производительность готовой продукции.

На упомянутой технологии Elpida собирается выпустить сначала микрочипы емкостью 1 Гбит, увеличивая ее со временем. Они будут работать как от 1,5 В, передавая информацию со скоростью 2,5 Гбит/сек, так и от 1, 2 В со скоростью передачи информации 1,6 Гбит/сек.

Компания Samsung выпустит еще более емкие устройств – до 2 Гбит, при этом производительность микросхем повысится на 60% по сравнению со стандартом DDR2-памяти.

Следует также упомянуть и фирму Qimonda, которая закончила подготовку производства микрочипов по 46-нм технологическому процессу. Запуск производства ожидается к середине 2009 года.

Подъем спроса на память стандарта DDR3 вызовет также выход относительно недорогих центральных процессоров нового поколения: микрочипов c разъемом Socket AM3 от AMD и процессоров Lynnfield от Intel. Специалисты прогнозируют, что в концу 2009 года доля продаж DDR3-памяти составит 29%, а к 2011 году – до 72%. Переход на стандарт DDR3 к тому моменту можно будет считать полностью состоявшимся.
(с) google.com
зы
так что еще не время А тут еще и кризис, а потом третяя мировая - вот и будет нам ддр3