Antichat снова доступен.
Форум Antichat (Античат) возвращается и снова открыт для пользователей.
Здесь обсуждаются безопасность, программирование, технологии и многое другое.
Сообщество снова собирается вместе.
Новый адрес: forum.antichat.xyz
 |
Исследователи снизили напряжение питания флэш-памяти до 1 В, что может сильно ускорит |
23.05.2010, 22:20
|
|
Познающий
Регистрация: 10.02.2009
Сообщений: 41
Провел на форуме:
518182
Репутация:
27
|
|
Исследователи снизили напряжение питания флэш-памяти до 1 В, что может сильно ускорит
Японские исследователи разработали технологию, которая, как утверждается, позволяет флэш-памяти типа NAND работать при напряжении 1 В. Это позволит снизить энергопотребление на 86% по сравнению с существующими образцами, рассчитанными на напряжение 1,8 В. В проекте участвовали специалисты университета Токио и института AIST (Advanced Industrial Science and Technology).
Уменьшить энергетические аппетиты новой памяти позволило применение ферроэлектрического материала. Если быть более точным, ферроэлектрическая пленка служит в качестве изолятора, разделяющего металлический затвор и ячейку флэш-памяти. Напряжение, необходимое для записи, примерно равно 6 В, тогда как в случае обычной флэш-памяти оно составляет около 20 В. Из более низкого напряжения питания такое напряжение получается путем «накачки» в специальной цепи. Если понизить напряжение питания в существующих образцах, потребуется больше ступеней «накачки». Память, созданная участниками проекта, обходится без этого усложнения схемы. Ключевым элементом разработки, позволяющим избежать ошибок при записи с пониженным напряжением, является метод записи, который исследователи назвали «Single-cell Self-boost method». Его суть заключается в определенных манипуляциях с соседними ячейками, позволяющих повысить разность потенциалов между выбранной и невыбранной ячейками.
Малое энергопотребление ценно не только само по себе. Если использовать новую память в твердотельном накопителе, можно записывать данные одновременно в большое количество чипов (до 110), что позволяет повысить скорость записи SSD до впечатляющего значения 9,5 ГБ/с. Это примерно в семь раз больше, чем в случае накопителей на флэш-памяти типа NAND, выпускаемой сейчас.
Сведения о разработке были опубликованы в ходе мероприятия под названием IMW 2010 (IEEE International Memory Workshop), которое проходило с 16 по 19 мая в Сеуле.
23.05.10
Источник: http://techon.nikkeibp.co.jp/english/NEWS_EN/20100519/182725/?P=1
|
|
|
24.05.2010, 04:40
|
|
Постоянный
Регистрация: 23.06.2006
Сообщений: 370
Провел на форуме:
18122423
Репутация:
458
|
|
хорошая новость. будем ждать новостей непосредственно с рынка.
|
|
|
|
25.05.2010, 11:25
|
|
Новичок
Регистрация: 23.05.2010
Сообщений: 16
Провел на форуме:
29915
Репутация:
2
|
|
Вот вам и Япошки они кругом все заполонили и везде
|
|
|
|
25.05.2010, 11:32
|
|
Познавший АНТИЧАТ
Регистрация: 01.12.2006
Сообщений: 1,769
Провел на форуме:
3718311
Репутация:
1118
|
|
новость хорошая а заголовок УГ. Научитесь пожалуйста переписывать заголовок под требования форума а не тупо копировать
|
|
|
|
|
|
|
Здесь присутствуют: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
|
|
|
|
Похожие темы
Линейный вид
