Компания Samsung сообщила о начале серийного производства новых чипов памяти Green DDR3, которые отличаются низким уровнем энергопотребления, высокой емкостью и высокой производительностью.
Новинки производятся по нормам 40-нанометрового технологического процесса и имеют емкость каждого чипа 4 Гб (512 МБ), что в два раза превышает показатели существующих аналогов. Таким образом, появилась возможность существенно повысить емкость модулей памяти стандарта DDR3: до 32 ГБ - для серверных модулей, до 16 ГБ - для настольных модулей и до 8 ГБ - для мобильных модулей памяти. Отмечается, что новые чипы памяти могут использовать напряжение питания 1,5 или 1,35 В, при этом их рабочая частота может достигать значения 1600 МГц. По заверениям Samsung, переход на использование чипов памяти Green DDR3 емкостью 4 Гб в модулях объемом 16 ГБ позволит снизить их энергопотребление на 35%. В серверном сегменте при переходе с памяти DDR2 на DDR3 можно снизить энергопотребление всей системы на 10%.

Новые чипы памяти Samsung Green DDR3 уже выпускаются в промышленных масштабах и в скором времени поступят на рынок в составе готовых модулей памяти для различных сегментов рынка. Уровень цен таких устройств пока не сообщается, но ожидается, что на первоначальном этапе он может быть достаточно высоким. Также отмечается, что компания Samsung намерена выпускать более 90% чипов памяти DDR DRAM на основе 40-нанометрового технологического процесса.