Японская компания Elpida Memory объявила о начале массового производства на своем предприятии в Хиросиме (Hiroshima Plant) 40 нм чипов памяти DDR3 SDRAM с плотностью 2 Гбит. При этом Elpida удалось пройти путь от завершения разработки до начала массового выпуска таких микросхем всего за два месяца.
Одним из основных преимуществ новых 40 нм чипов памяти DDR3 SDRAM является их компактность. Это позволяет Elpida размещать на стандартной кремниевой пластине на 44 процента больше чипов, чем в случае с 50 нм микросхемами. При этом объем выпуска годных изделий в случае устройств с памятью DDR3 1600 (производительность 1,6 Гбит/с) достигает стопроцентного показателя.

Отметим, что новые 40 нм чипы памяти DDR3 SDRAM с плотностью 2 Гбит отличаются хорошей энергоэффективностью. Их рабочее напряжение колеблется от 1,2 до 1,35 вольта, что заметно ниже, чем стандарт JEDEC в 1,5 вольта, утвержденный для памяти DDR3. Это позволяет уменьшить энергопотребление новой памяти примерно на 50 процентов.

Кроме того, во втором квартале 2010 года Elpida планирует запустить производство 40 нм чипов памяти DDR3 SDRAM на мощностях своей тайваньской дочерней компании Rexchip. Это должно привести к увеличению выпуска такого рода памяти и, как следствие, к падению ее стоимости. Помимо прочего, если рыночная коньюктура будет складываться благоприятно, Elpida может организовать выпуск 40 нм памяти на производственных линиях своих партнеров ProMOS и Winbond.

Источник
Дата: 2009.12.23, 13:03