На официальном веб-сайте Intel в колонке, посвященной инновационным разработкам, появилось короткое сообщение. В нем говорится, что недавние научные изыскания корпорации привели к созданию так называемых Р-канальных транзисторов с высочайшей производительностью. Для этого ученые Intel построили опытный образец Р-канального транзистора на кремниевой подложке, использующей составные полупроводники, известные также под названием III-V материалов.

По данным Intel, новые транзисторы побили предыдущий рекорд производительности. Кроме того, они работают на половинном уровне напряжения и потребляют всего одну десятую часть электроэнергии, потребной для питания современных транзисторов. Поэтому данные разработки вполне могут найти применение в будущих “холодных” и экономичных процессорах. Остается надеяться, что практическая реализация новой технологии не затянется надолго.

ferra.ru