IBM сообщила об успешной разработке прототипа самого компактного, ёмкого и быстродействующего в полупроводниковой индустрии устройства динамической памяти, произведённого по 32-нм технологии кремния на чипе (silicon-on-insulator, SOI). Последняя даёт возможность до 30% увеличить производительность и до 40% снизить энергопотребление по сравнению со стандартной кремниевой технологией. SOI защищает транзисторы «одеялом» диэлектрика, препятствующего утечкам тока, благодаря чему экономится энергия и достигается более эффективная работа.
Чип представляет собой встраиваемую энергозависимую память с произвольным доступом (embedded dynamic random access memory, eDRAM) с наименьшей, как утверждает IBM, ячейкой в индустрии, а быстродействие и ёмкость превышают показатели статической памяти с произвольным доступом (static random access memory, SRAM), выполненной по 32-нм и 22-нм техпроцессам, и сравнимы с SRAM, если бы она производилась с использованием 15-нм технологии. Каждая ячейка вдвое компактнее, чем любая таковая для 22-нм встроенной статической памяти, включая анонсированную самой IBM в августе 2008 года.
Для новой разработки характерны задержки менее 2 нс. В режиме простоя чип потребляет вчетверо меньше энергии относительно существующих образцов, а количество вызванных электрическими зарядами ошибок снижено в 1000 раз. eDRAM может использоваться в принтерах, сетевых устройствах, системах хранения. IBM намерена применять 32-нм технологию SOI в специализированных интегральных микросхемах (application-specific integrated circuit, ASIC) и чипах для серверов.
Технология нового типа памяти уже предложена некоторым производителям специализированных микросхем. Одной из первых компаний, которая начала планирование внедрения новой памяти, стала компания ARM, специалисты которой уже начали разработку библиотек программ, с помощью который будет происходить работа их микропроцессоров с новым типом памяти. Так же, в ближайшем будущем новая память будет использоваться в составе серверных платформ производства IBM.
Первые образцы этой памяти будут представлены компанией IBM вниманию общественности Международной конференции по электронным приборам (International Electron Devices meeting), которая состоится в декабре месяце этого года.

21.09.09