Компания Hewlett Packard отчиталась об успехах в работе по разработке новой системы, которая позволяет разместить на одном см2 площади носитель, вмещающий в себя 20 гигабайт памяти. Система основана на использовании резисторов памяти или «мемристоров», и заключается в том, что ультратонкая пленка из диоксида титана подвергается воздействию электрического тока, который передвигает отдельные атомы, тем самым снижая сопротивление материала.



Использование такой системы обеспечило существенное сокращение размеров носителей памяти и повысить плотность последней. В то время как сегодня модули памяти производятся на транзисторах размерами от 30 до 40 нм, HP создала мемристоры с габаритами, равными всего 3 нм, которые можно включать и выключать в течение наносекунды.

По заявлению физика компании Стэна Уиллиамса, перевод производства этой системы в серийную стадию может занять до трех лет. Ученый также отметил, что важность этой технологии заключается в том, что она позволяет выйти за пределы, которые установили транзисторные системы памяти.

12.04.2010
http://www.hpc.ru/news/39605