Компания IBM совместно с Технологическим университетом штата Джорджия создали кремний-германиевый чип (SiGe), работающий с частотой 500 ГГц. Достичь такого высокого результата удалось в ходе эксперимента, поместив микросхему в камеру с температурой -268,33 градуса по Цельсию.

В условиях комнатной температуры чип продемонстрировал работу с частотой 350 ГГц, в то время как современные процессоры, используемые в ПК имеют максимальные частоты около 4 ГГц.

Использование германия в кремниевых микросхемах позволяет производителю добиться так называемого эффекта растянутого кремния и снизить токи утечки, добившись таким образом повышенной производительности. По мнению специалистов, рекордная частота, которой можно добиться от SiGe-чипов, составляет 1 терагерц.


(с) cnews.ru