Компании Intel и Micron Technology объявили о разработке высокоскоростной флэш-памяти типа NAND (SLC), которая имеет быстрый доступ и высокие показатели скорости чтения и записи.

Совместное предприятие этих компаний, IM Flash Technologies (IMFT), разработало память, которая в пять раз быстрее обычных флэш-носителей. Новое достижение инженеров для флэш-памяти NAND (SLC) — 200 МБ/с при операциях чтения и 100 МБ/с при записи, что превышает показатели аналогов. Новая память удовлетворяет спецификации ONFI 2.0, имеет «четырехплоскостную» архитектуру и высокую рабочую частоту.

Чипы новой памяти Micron производятся по 50-нм техпроцессу и имеют ёмкость 8 Гбит. Их производительность — выше всяких похвал, но в данном случае, SLC-тип означает, что кроме высокой скорости эта память будет характеризоваться ещё и немалой ценой. Тем не менее, дальнейшая интеграция NAND-памяти и контроллера NVMHCI (Non-Volatile Memory Host Controller Interface) в платформу РС приведут к серьёзному увеличению производительности системы в целом.

В данный момент уже ведется отгрузка производителям готовой продукции ознакомительных образцов. Появление в продаже этих готовых продуктов на базе новой памяти Micron ожидается во второй половине этого года.
01/02/08
Ну что, пора отказаться от жёстких дисков

__________________
Bedankt euch dafür bei euch selbst.

H_2(S^3/((z1, z2)~(exp(2pi*i/p)z1, exp(2pi*q*i/p)z2)))=Z/pZ