ANTICHAT — форум по информационной безопасности, OSINT и технологиям

По мнению многих участников рынка, память типа DDR-3 начнёт уступать место памяти типа DDR-4 не ранее 2012 года, а до тех пор первой из них только предстоит наращивать частоты и снижать энергопотребление. Последняя цель будет достигаться, в том числе, за счёт перехода на более низкое номинальное напряжение - модули памяти типа DDR3L должны довольствоваться напряжением питания 1.2-1.35 В вместо нынешних 1.5 В.

Как сообщает сайт ComputerBase, на IDF Fall 2008 компания Qimonda поведала о своих планах по переходу от DDR-3 к DDR-4. Прежде всего, внедрение модулей DDR3-1066/1333 с пониженным до 1.35 В напряжением питания планируется начать в 2009 году. Модули DDR3-1333 с пониженным до 1.35 В номинальным напряжением начнут доминировать в 2010 году, а в 2011 году получат распространение модули DDR3-1600 с идентичным напряжением.



Непосредственно DDR-4 начнёт свой путь на рынок в 2012 году с модулей DDR4-2133 при номинальном напряжении 1.2 В. Через год частота модулей памяти DDR-4 возрастёт до 2667 МГц DDR, а напряжение может снизиться до 1.0 В. Как всегда, для работы с новыми модулями памяти поддержка соответствующих напряжений должна обеспечиваться материнской платой.