Ярким доказательством того, что потенциал повышения производительности памяти типа DDR3 ещё до конца не раскрыт, стало появление на свет уникального в своём роде прототипа модуля памяти DDR3 PC3-19200, совместно разработанного и уже протестированного компаниями Elpida и Buffalo Technology. Как сообщается, данная планка построена на базе DRAM-чипов Elpida J1108BASE-MNH-E HYPER, обладающих ёмкостью 1 Гбит и способных передавать данные на скорости до 2,5 Гбит/с. Примечательно и то, что в процессе создания этих микросхем при формировании проводящих слоёв вместо алюминия используется медь, что благотворно сказывается на повышении производительности изделий. В составе анонсированного модуля чипы функционируют на частоте 2400 МГц с таймингами 11-11-11-34 при напряжении 2,1 В, тогда как при номинальном напряжении 1,5 В, являющемся стандартным для планок памяти DDR3, эти микросхемы работают на частоте 2096 МГц с задержками 9-10-9-24. Ожидается, что запуск массового производства новых модулей состоится уже в ближайшее время, однако их предполагаемая стоимость пока ещё не обнародована.