Компании Intel и Infineon Technologies объявили о начале разработок SIM-карт нового поколения – HD SIM-карт. Об этом компании сообщили на выставке Cartes Trade Show, которая проходила во Франции. Первые образцы должны появиться уже в 2008 году, а на 2009 год намечен старт массового производства. Отметим, что емкость новых карт будет примерно в 1000 раз больше, чем у существующих, и составит от 4 Мб до 64 Мб. Диапазон напряжения – от 1,8 до 3,3 В (отвечает спецификации ETSI).

Новые SIM-карты будут использовать микросхемы NOR, которые создаются в соответствии с 130-нанометровым технологическим процессом. Необходимо отметить, что модули для карт объемом 64 Мб будут создаваться по 65-нанометровой технологии, а впоследствии планируется переход на 45-нанометровый техпроцесс. HD SIM-карты также получат 32-разрядный микроконтроллер, который обеспечит безопасность данных.

Компания Intel займется разработкой флэш-памяти для карт. Выбор технологии NOR отнюдь не случаен. Даная технология требует намного меньше затрат в сравнении с NAND-памятью, и, соответственно, карты будут намного дешевле и станут доступны массовому потребителю.

Новые SIM-карты позволят сотовым операторам существенно расширить список различных сервисов, а также увеличить функциональность уже существующих приложений. По оценкам экспертов, к 2010 году доля HD SIM-карт будет составлять от 6 до 8% общего количества SIM-карт.
pc.km.ru